SEM: Микроскопия поверхности с разрешением от 0,7 нм(от 200 В до 30 кВ).
Режим просвечивающей электронной микроскопии.
Технология MAPS: съемка панорамы размером до 10х10 см и разрешением от нескольких нм/пиксель.
EDS: Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ, элементное картирование (от Be до U).
FIB: Ионная микроскопия с разрешением от 4 нм. Локальное напыление и травление материалов, выполнение поперечных сечений с нанометровой точностью. ФИП-томография. Нанопрототипирование. Изготовление образцов для ПЭМ.
Двулучевая аналитическая система FEI Helios NanoLab 660
Динамические эксперименты insitu (растяжение-сжатие, охлаждение-нагрев, характеризация смачиваемости).
EDS: Энергодисперсионный рентгеновский микроанализ, элементное картирование (от Bдо U).
SEM: Режим высокого вакуума – микроскопия поверхности с разрешением от 0,7 нм(от 200 В до 30 кВ). Режим низкого вакуума – микроскопия диэлектриков в исходном состоянии. Режим естественной среды – микроскопия влажных, газящих, биологических объектов в исходномсостоянии.
Технология MAPS: съемка панорамы размером до 10х10 см и разрешением от нескольких нм/пиксель.
FIB: Ионная микроскопия с разрешением от 4 нм. Локальное напыление и травление материалов, выполнение поперечных сечений с нанометровой точностью. ФИП-томография. Нанопрототипирование. Изготовление образцов для ПЭМ.
Двулучевая аналитическая система FEI Versa 3D ESEM